Speicherplatz ist eine knappe und wertvolle Ressource für die Performance moderner Smartphones. Um Usern eine optimale Benutzererfahrung zu bieten, integriert ZTE als einer der ersten Hersteller die Memory Fusion Technologie zur Speicheroptimierung in seine neue Produktfamilie der ZTE Blade V40 Serie.
Entwickelt wurde die Memory Fusion Technologie, um ungenutzten Festspeicher (ROM) verfügbar zu machen und für Operationen des Arbeitsspeichers (RAM) zu verwenden. Mit Memory Fusion kann zum Beispiel ein typisches Smartphone mit einem Speicherplatz von 8 GB RAM und 128 GB Festspeicher dank optimiertem Onboard-RAM auf bis zu 13 GB RAM erweitert werden. Der Effekt: Durch Zuweisung von mehr Speicherkapazität an den Arbeitsspeicher verbessert die Memory Fusion Technologie die Multitasking-Kapazität des Geräts. Somit wird beispielsweise ein nahtloser Wechsel zwischen Anwendungen ermöglicht, die parallel im Hintergrund laufen. Auf diese Weise lassen sich die Systeme des Telefons gezielt für eine nachhaltigere Leistung und längere Akkulaufzeit stabilisieren.
Extra-Power für Speicher und Akku
Die Memory Fusion Technologie basiert auf der ZRAM-Technologie in Linux und ermöglicht es, selten genutzte Daten oder inaktive Anwendungen im RAM zu komprimieren und im ROM zu speichern. Dadurch kann der erweiterte Speicher auf dem ROM als virtueller Speicher für inaktive Anwendungen genutzt werden.
„Mit der neuen Produktreihe der ZTE Blade V40 Serie setzen wir unseren Kurs fort, den Kunden genau die technische Ausstattung an die Hand zu geben, die Standards für ein zeitgemäßes Smartphone-Erlebnis setzt”, erklärt Jan Böckmann, Director Open Market bei der ZTE Corporation. „Das umfasst Top-Performance bei allen Anwendungen und den Einsatz smarter Speicheroptimierung durch die wegweisende Memory Fusion Technologie als einer der ersten Anbieter am Markt.“
Die Technologie kommt in allen Geräten der neuen ZTE Blade V40-Serie (darunter ZTE Blade V40, ZTE Blade V40 Vita und ZTE Blade V40 Pro) zum Einsatz.
